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NDF11N50Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
T J = 150 ° C
3250
3000
2750
2500
2250
2000
1750
C rss
C oss
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
1500
1
T J = 125 ° C
1250
1000
750
500
250
0.1
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
Q GS
5
Q T
V DS
V GS
Q GD
V DS = 250 V
I D = 10.5 A
T J = 25 ° C
10 15 20 25 30 35 40 45
300
250
200
150
100
50
0
50
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = 250 V
I D = 10.5 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
t d(on)
20
10
T J = 150 ° C
10
1
125 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1
1
10
100
0.1
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
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